Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

IXYS IXFN150N15 МОП-транзистор (MOSFET) + диод

Код товара RS: 194-243PБренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN150N15
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

150 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOT-227B

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

13 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

360 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Ширина

25.07мм

Серия

HiperFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Вас может заинтересовать
IXYS IXFN180N15P MOSFET
IXYS IXFN180N15P MOSFETБренд: IXYS
тг 8 720,97Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFN150N15 МОП-транзистор (MOSFET) + диод
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXFN150N15 МОП-транзистор (MOSFET) + диод
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
IXYS IXFN180N15P MOSFET
IXYS IXFN180N15P MOSFETБренд: IXYS
тг 8 720,97Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

150 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOT-227B

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

13 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

360 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Ширина

25.07мм

Серия

HiperFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Вас может заинтересовать
IXYS IXFN180N15P MOSFET
IXYS IXFN180N15P MOSFETБренд: IXYS
тг 8 720,97Each (ex VAT)