IXYS IXFN102N30P MOSFET

Код товара RS: 193-464Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN102N30PDistrelec Article No.: 30253358
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

86 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

570 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

224 нКл при 10 В

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

38.23мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 8 720,97

тг 8 720,97 Each (ex VAT)

IXYS IXFN102N30P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 8 720,97
2тг 17 441,94
3тг 26 162,91
4тг 34 883,88
5тг 42 710,85
6тг 51 253,02
7тг 59 795,19
8тг 68 337,36
9тг 76 879,53
10тг 85 421,70
11тг 93 963,87
12тг 102 506,04
13тг 111 048,21
14тг 119 590,38
15тг 128 132,55

тг 8 720,97

тг 8 720,97 Each (ex VAT)

IXYS IXFN102N30P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 8 720,97
2тг 17 441,94
3тг 26 162,91
4тг 34 883,88
5тг 42 710,85
6тг 51 253,02
7тг 59 795,19
8тг 68 337,36
9тг 76 879,53
10тг 85 421,70
11тг 93 963,87
12тг 102 506,04
13тг 111 048,21
14тг 119 590,38
15тг 128 132,55

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 8 720,97
5 - 19тг 8 542,17
20 - 49тг 7 321,86
50 - 99тг 7 174,35
100+тг 6 754,17

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

86 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

570 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

224 нКл при 10 В

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

38.23мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS