IXYS IXFK48N60Q3 MOSFET

Код товара RS: 920-0978Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFK48N60Q3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

48 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Q-Class

Тип корпуса

TO-264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

6.5V

Максимальное рассеяние мощности

1 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

5.13мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

19.96мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

26.16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFK48N60Q3 MOSFET

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXFK48N60Q3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

48 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Q-Class

Тип корпуса

TO-264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

6.5V

Максимальное рассеяние мощности

1 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

5.13мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

19.96мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

26.16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS