Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 48 A, 500 V, 3-Pin TO-264AA IXFK48N50

Код товара RS: 920-0870Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFK48N50
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

48 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET

Тип корпуса

TO-264AA

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.13мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

19.96мм

Типичный заряд затвора при Vgs

270 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

26.16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 48 A, 500 V, 3-Pin TO-264AA IXFK48N50

P.O.A.

IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 48 A, 500 V, 3-Pin TO-264AA IXFK48N50
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

48 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET

Тип корпуса

TO-264AA

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.13мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

19.96мм

Типичный заряд затвора при Vgs

270 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

26.16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS