Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
48 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
HiperFET
Тип корпуса
TO-264AA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
500 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.13мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
19.96мм
Типичный заряд затвора при Vgs
270 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
26.16мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
48 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
HiperFET
Тип корпуса
TO-264AA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
500 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.13мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
19.96мм
Типичный заряд затвора при Vgs
270 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
26.16мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS