IXYS IXFH44N50Q3 MOSFET

Код товара RS: 146-1731Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH44N50Q3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Q3-Class

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

6.5V

Максимальное рассеяние мощности

830 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

93 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.26мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFH44N50Q3 MOSFET

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXFH44N50Q3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Q3-Class

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

6.5V

Максимальное рассеяние мощности

830 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

93 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.26мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS