IXYS IXFH34N50P3 MOSFET

Код товара RS: 146-1742Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH34N50P3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

175 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

695 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

5.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFH34N50P3 MOSFET

P.O.A.

IXYS IXFH34N50P3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

175 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

695 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

5.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS