IXYS IXFH26N60P MOSFET

Код товара RS: 194-451Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH26N60PDistrelec Article No.: 30253317
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

26 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

270 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

460 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.46мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 480,85

тг 2 480,85 Each (ex VAT)

IXYS IXFH26N60P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 480,85
2тг 4 961,70
3тг 7 442,55
4тг 9 923,40
5тг 12 158,40
6тг 14 590,08
7тг 17 021,76
8тг 19 453,44
9тг 21 885,12
10тг 24 316,80
11тг 26 748,48
12тг 29 180,16
13тг 31 611,84
14тг 34 043,52
15тг 36 475,20

тг 2 480,85

тг 2 480,85 Each (ex VAT)

IXYS IXFH26N60P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 480,85
2тг 4 961,70
3тг 7 442,55
4тг 9 923,40
5тг 12 158,40
6тг 14 590,08
7тг 17 021,76
8тг 19 453,44
9тг 21 885,12
10тг 24 316,80
11тг 26 748,48
12тг 29 180,16
13тг 31 611,84
14тг 34 043,52
15тг 36 475,20

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 2 480,85
5 - 19тг 2 431,68
20 - 49тг 2 096,43
50 - 99тг 2 047,26
100+тг 1 725,42
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

26 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

270 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

460 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.46мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать