Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P

Код товара RS: 168-4470Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH170N10P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

714 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.3мм

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

198 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.46мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

714 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.3мм

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

198 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.46мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS