IXYS IXFH15N100Q3 MOSFET

Код товара RS: 920-0969Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH15N100Q3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

HiperFET, Q-Class

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,05 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

6.5V

Максимальное рассеяние мощности

690 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Высота

16.26мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFH15N100Q3 MOSFET

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXFH15N100Q3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

HiperFET, Q-Class

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,05 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

6.5V

Максимальное рассеяние мощности

690 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Высота

16.26мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS