Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
HiperFET, Polar
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.3мм
Длина
16.26мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21.46мм
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
HiperFET, Polar
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.3мм
Длина
16.26мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21.46мм
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS