IXYS IXFH120N20P MOSFET

Код товара RS: 193-458Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH120N20PDistrelec Article No.: 30253308
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

714 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

152 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 763,74

тг 3 763,74 Each (ex VAT)

IXYS IXFH120N20P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 763,74
2тг 7 527,48
3тг 11 291,22
4тг 15 054,96
5тг 18 461,10
6тг 22 153,32
7тг 25 845,54
8тг 29 537,76
9тг 33 229,98
10тг 36 922,20
11тг 40 614,42
12тг 44 306,64
13тг 47 998,86
14тг 51 691,08
15тг 55 383,30

тг 3 763,74

тг 3 763,74 Each (ex VAT)

IXYS IXFH120N20P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 763,74
2тг 7 527,48
3тг 11 291,22
4тг 15 054,96
5тг 18 461,10
6тг 22 153,32
7тг 25 845,54
8тг 29 537,76
9тг 33 229,98
10тг 36 922,20
11тг 40 614,42
12тг 44 306,64
13тг 47 998,86
14тг 51 691,08
15тг 55 383,30

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 763,74
5 - 19тг 3 692,22
20 - 49тг 3 173,70
50 - 99тг 3 111,12
100+тг 2 628,36

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

714 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

152 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS