IXYS IXFB38N100Q2 МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 711-5336Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFB38N100Q2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

PLUS264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

890 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

20.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

250 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

26.59мм

Серия

HiperFET, Q-Class

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFB38N100Q2 МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

P.O.A.

IXYS IXFB38N100Q2 МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 1P.O.A.
2 - 4P.O.A.
5 - 9P.O.A.
10 - 19P.O.A.
20+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

PLUS264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

890 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

20.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

250 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

26.59мм

Серия

HiperFET, Q-Class

Минимальная рабочая температура

-55 °C