Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
PLUS264
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Ширина
5.31мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
20.26мм
Типичный заряд затвора при Vgs
355 нКл при 10 В
Высота
26.59мм
Серия
HiperFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
PLUS264
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Ширина
5.31мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
20.26мм
Типичный заряд затвора при Vgs
355 нКл при 10 В
Высота
26.59мм
Серия
HiperFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V