IXYS IXFB110N60P3 MOSFET

Код товара RS: 168-4726Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFB110N60P3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

PLUS264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

56 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,89 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.31мм

Длина

20.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

245 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

26.59мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

P.O.A.

IXYS IXFB110N60P3 MOSFET

P.O.A.

IXYS IXFB110N60P3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

PLUS264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

56 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,89 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.31мм

Длина

20.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

245 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

26.59мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS