N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V, 3-Pin D2PAK IXYS IXFA80N25X3

Код товара RS: 146-4403Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFA80N25X3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

390 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.41мм

Типичный заряд затвора при Vgs

83 нКл при 10 В

Ширина

11.05мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

4.83мм

Серия

HiperFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V, 3-Pin D2PAK IXYS IXFA80N25X3

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V, 3-Pin D2PAK IXYS IXFA80N25X3
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

390 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.41мм

Типичный заряд затвора при Vgs

83 нКл при 10 В

Ширина

11.05мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

4.83мм

Серия

HiperFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C