IXYS IXFA22N65X2 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
HiperFET, X2-Class
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
145 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
37 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
11.05мм
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
HiperFET, X2-Class
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
145 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
37 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
11.05мм
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS