Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonСредний номинальный ток во включенном состоянии (Irms)
120A
Тип продукции
Тиристорный модуль
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (VDRM)
1600V
Номинальный ток перегрузки
2250A
Максимальный отпирающий ток затвора (Igt)
100mA
Число контактов
7
Максимальный удерживающий ток (Ih)
250mA
Максимальное отпирающее напряжение затвора (Vgt)
2.5V
Максимальная рабочая температура
130°C
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TT120N16SOF
Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии
20mA
Пиковое напряжения во включенном состоянии
1.75V
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This thyristor module is a high-voltage semiconductor device designed to control large AC or DC currents in power conversion and switching applications. It operates within elevated thermal environments and provides a controlled on-state for managing heavy current flow while withstanding substantial reverse and off-state conditions.
A gate drive capable of delivering up to 100mA with a trigger voltage at or above 2.5V is required to ensure consistent turn-on behaviour.
It can tolerate surge events up to 2250A, providing brief protection against transient high-current conditions while maintaining average conduction at 120A.
Repetitive Peak off-state current is specified at 20mA, which should be considered when designing guarding and sensing circuits.
The maximum permitted junction temperature is 130°C, so cooling strategies must maintain temperatures below this threshold for reliable operation.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tray of 12) (ex VAT)
12
P.O.A.
Each (In a Tray of 12) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
12
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonСредний номинальный ток во включенном состоянии (Irms)
120A
Тип продукции
Тиристорный модуль
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (VDRM)
1600V
Номинальный ток перегрузки
2250A
Максимальный отпирающий ток затвора (Igt)
100mA
Число контактов
7
Максимальный удерживающий ток (Ih)
250mA
Максимальное отпирающее напряжение затвора (Vgt)
2.5V
Максимальная рабочая температура
130°C
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TT120N16SOF
Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии
20mA
Пиковое напряжения во включенном состоянии
1.75V
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This thyristor module is a high-voltage semiconductor device designed to control large AC or DC currents in power conversion and switching applications. It operates within elevated thermal environments and provides a controlled on-state for managing heavy current flow while withstanding substantial reverse and off-state conditions.
A gate drive capable of delivering up to 100mA with a trigger voltage at or above 2.5V is required to ensure consistent turn-on behaviour.
It can tolerate surge events up to 2250A, providing brief protection against transient high-current conditions while maintaining average conduction at 120A.
Repetitive Peak off-state current is specified at 20mA, which should be considered when designing guarding and sensing circuits.
The maximum permitted junction temperature is 130°C, so cooling strategies must maintain temperatures below this threshold for reliable operation.