Infineon SPW35N60C3FKSA1 MOSFET

Код товара RS: 752-8502PБренд: InfineonПарт-номер производителя: SPW35N60C3FKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C3

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

313 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Ширина

5.21мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon SPW35N60C3FKSA1 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Infineon SPW35N60C3FKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C3

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

313 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Ширина

5.21мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.