Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
CoolMOS S5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
79 нКл при 10 В
Ширина
5.3мм
Высота
20.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™S5 Power MOSFET Family
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 872,93
тг 1 872,93 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 872,93
тг 1 872,93 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 4 | тг 1 872,93 |
5 - 19 | тг 1 832,70 |
20 - 49 | тг 1 792,47 |
50 - 99 | тг 1 600,26 |
100+ | тг 1 568,97 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
CoolMOS S5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
79 нКл при 10 В
Ширина
5.3мм
Высота
20.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™S5 Power MOSFET Family
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.