Infineon SPW17N80C3FKSA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
CoolMOS C3
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
290 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
227 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
88 нКл при 10 В
Ширина
5.21мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 556,84
тг 2 556,84 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 556,84
тг 2 556,84 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 2 556,84 |
| 25 - 99 | тг 2 047,26 |
| 100 - 239 | тг 1 913,16 |
| 240 - 479 | тг 1 872,93 |
| 480+ | тг 1 680,72 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
CoolMOS C3
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
290 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
227 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
88 нКл при 10 В
Ширина
5.21мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.