N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1

Код товара RS: 911-4940Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SPW11N80C3FKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

CoolMOS C3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.03мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8 нКл при 10 В

Ширина

5.16мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

21.1мм

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

CoolMOS C3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.03мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8 нКл при 10 В

Ширина

5.16мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

21.1мм

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.