N-Channel MOSFET, 17 A, 800 V, 3-Pin TO-220 Infineon SPP17N80C3XKSA1

Код товара RS: 911-0730Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SPP17N80C3XKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

CoolMOS C3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

290 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

88 нКл при 10 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.45мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 17 A, 800 V, 3-Pin TO-220 Infineon SPP17N80C3XKSA1

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 17 A, 800 V, 3-Pin TO-220 Infineon SPP17N80C3XKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

CoolMOS C3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

290 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

88 нКл при 10 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.45мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.