P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1

Код товара RS: 753-3188Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SPD08P06PGBTMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Вас может заинтересовать
Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFET
Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 442,53Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 475,10

тг 295,02 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 475,10
10тг 2 950,20
15тг 4 425,30
20тг 5 900,40
25тг 7 375,50
30тг 8 850,60
35тг 10 325,70
40тг 11 800,80
45тг 13 275,90
50тг 14 751,00
55тг 16 226,10
60тг 17 701,20
65тг 19 176,30
70тг 20 651,40
75тг 22 126,50

тг 1 475,10

тг 295,02 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 475,10
10тг 2 950,20
15тг 4 425,30
20тг 5 900,40
25тг 7 375,50
30тг 8 850,60
35тг 10 325,70
40тг 11 800,80
45тг 13 275,90
50тг 14 751,00
55тг 16 226,10
60тг 17 701,20
65тг 19 176,30
70тг 20 651,40
75тг 22 126,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 120тг 295,02тг 1 475,10
125 - 495тг 196,68тг 983,40
500 - 2495тг 187,74тг 938,70
2500 - 12495тг 151,98тг 759,90
12500+тг 147,51тг 737,55
Вас может заинтересовать
Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFET
Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 442,53Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Вас может заинтересовать
Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFET
Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 442,53Each (In a Pack of 10) (ex VAT)