Infineon SPB80P06PGATMA1 MOSFET

Код товара RS: 753-3166Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SPB80P06PGATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

340 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

115 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 1 385,70

тг 1 385,70 Each (ex VAT)

Infineon SPB80P06PGATMA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 385,70
2тг 2 771,40
3тг 4 157,10
4тг 5 542,80
5тг 6 928,50
6тг 8 314,20
7тг 9 699,90
8тг 11 085,60
9тг 12 471,30
10тг 13 857,00
11тг 15 242,70
12тг 16 628,40
13тг 18 014,10
14тг 19 399,80
15тг 20 785,50

тг 1 385,70

тг 1 385,70 Each (ex VAT)

Infineon SPB80P06PGATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 385,70
2тг 2 771,40
3тг 4 157,10
4тг 5 542,80
5тг 6 928,50
6тг 8 314,20
7тг 9 699,90
8тг 11 085,60
9тг 12 471,30
10тг 13 857,00
11тг 15 242,70
12тг 16 628,40
13тг 18 014,10
14тг 19 399,80
15тг 20 785,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 385,70
25 - 99тг 1 113,03
100 - 499тг 1 010,22
500 - 999тг 822,48
1000+тг 742,02

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

340 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

115 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.