N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin TO-220 Infineon SPA02N80C3XKSA1

Код товара RS: 906-4498Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SPA02N80C3XKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

CoolMOS C3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

30,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.85мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

4.85мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

16.15мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin TO-220 Infineon SPA02N80C3XKSA1
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin TO-220 Infineon SPA02N80C3XKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

CoolMOS C3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

30,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.85мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

4.85мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

16.15мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.