Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF

Код товара RS: 171-1913PБренд: InfineonПарт-номер производителя: SI4435DYTRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

Si4435DYPbF

Тип корпуса

SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Типичный коэффициент усиления по мощности

0

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

Si4435DYPbF

Тип корпуса

SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Типичный коэффициент усиления по мощности

0