Infineon OptiMOS Power Transistor SiC P-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL ISZ15EP15LMATMA1

Код товара RS: 284-792Бренд: InfineonПарт-номер производителя: ISZ15EP15LMATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

OptiMOS Power Transistor

Тип корпуса

PG-TSDSON-8 FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon OptiMOS Power Transistor SiC P-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL ISZ15EP15LMATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon OptiMOS Power Transistor SiC P-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL ISZ15EP15LMATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

OptiMOS Power Transistor

Тип корпуса

PG-TSDSON-8 FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1