Infineon IRLZ44NPBF MOSFET

Код товара RS: 541-0086Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLZ44NPBFDistrelec Article No.: 30341412
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

48 нКл при 5 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 800,13

тг 800,13 Each (ex VAT)

Infineon IRLZ44NPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 800,13
2тг 1 600,26
3тг 2 400,39
4тг 3 200,52
5тг 4 000,65
6тг 4 800,78
7тг 5 600,91
8тг 6 401,04
9тг 7 201,17
10тг 8 001,30
11тг 8 801,43
12тг 9 601,56
13тг 10 401,69
14тг 11 201,82
15тг 12 001,95

тг 800,13

тг 800,13 Each (ex VAT)

Infineon IRLZ44NPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 800,13
2тг 1 600,26
3тг 2 400,39
4тг 3 200,52
5тг 4 000,65
6тг 4 800,78
7тг 5 600,91
8тг 6 401,04
9тг 7 201,17
10тг 8 001,30
11тг 8 801,43
12тг 9 601,56
13тг 10 401,69
14тг 11 201,82
15тг 12 001,95

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 800,13
25 - 99тг 402,30
100 - 249тг 353,13
250 - 499тг 339,72
500+тг 321,84
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

48 нКл при 5 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать