Infineon IRLU8743PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
160 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.35V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.35V
Максимальное рассеяние мощности
135 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 4,5 В
Ширина
2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 017,25
тг 603,45 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 3 017,25
тг 603,45 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 603,45 | тг 3 017,25 |
| 25 - 95 | тг 308,43 | тг 1 542,15 |
| 100 - 245 | тг 259,26 | тг 1 296,30 |
| 250 - 495 | тг 250,32 | тг 1 251,60 |
| 500+ | тг 245,85 | тг 1 229,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
160 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.35V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.35V
Максимальное рассеяние мощности
135 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 4,5 В
Ширина
2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.