N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR120NPBF

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

185 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 5 В

Высота

2.39мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C