P-Channel MOSFET, 2.4 A, 30 V, 6-Pin Micro6 Infineon IRLMS5703TRPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
Micro6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
325 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,2 нКл при 10 В
Ширина
1.75мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.3мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 4 470,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 470,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 89,40 | тг 4 470,00 |
| 250 - 700 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
| 750 - 1450 | тг 67,05 | тг 3 352,50 |
| 1500 - 2950 | тг 62,58 | тг 3 129,00 |
| 3000+ | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
Micro6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
325 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,2 нКл при 10 В
Ширина
1.75мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.3мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.