Infineon IRLML6344TRPBF MOSFET

Код товара RS: 737-7225Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLML6344TRPBFDistrelec Article No.: 30284105
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

37 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.5V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,8 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.02мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 1 341,00

тг 67,05 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon IRLML6344TRPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 1 341,00
40тг 2 503,20
60тг 3 754,80
80тг 5 006,40
100тг 4 917,00
120тг 5 900,40
140тг 6 883,80
160тг 7 867,20
180тг 8 850,60
200тг 9 834,00
220тг 10 817,40
240тг 11 800,80
260тг 12 784,20
280тг 13 767,60
300тг 14 751,00

тг 1 341,00

тг 67,05 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon IRLML6344TRPBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 1 341,00
40тг 2 503,20
60тг 3 754,80
80тг 5 006,40
100тг 4 917,00
120тг 5 900,40
140тг 6 883,80
160тг 7 867,20
180тг 8 850,60
200тг 9 834,00
220тг 10 817,40
240тг 11 800,80
260тг 12 784,20
280тг 13 767,60
300тг 14 751,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 20тг 67,05тг 1 341,00
40 - 80тг 62,58тг 1 251,60
100 - 180тг 49,17тг 983,40
200 - 380тг 49,17тг 983,40
400+тг 49,17тг 983,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

37 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.5V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,8 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.02мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.