Infineon P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 IRLML5103TRPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,4 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,4 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.