Infineon IRLML5103TRPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
3,4 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 692,85
тг 138,57 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 692,85
тг 138,57 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 138,57 | тг 692,85 |
| 25 - 95 | тг 58,11 | тг 290,55 |
| 100 - 245 | тг 44,70 | тг 223,50 |
| 250 - 495 | тг 44,70 | тг 223,50 |
| 500+ | тг 44,70 | тг 223,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
3,4 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.