Infineon IRLML2803TRPBF MOSFET

Код товара RS: 302-022Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLML2803TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

540 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 916,35

тг 183,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IRLML2803TRPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 916,35
10тг 1 832,70
15тг 2 749,05
20тг 3 665,40
25тг 2 011,50
30тг 2 413,80
35тг 2 816,10
40тг 3 218,40
45тг 3 620,70
50тг 4 023,00
55тг 4 425,30
60тг 4 827,60
65тг 5 229,90
70тг 5 632,20
75тг 6 034,50

тг 916,35

тг 183,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IRLML2803TRPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 916,35
10тг 1 832,70
15тг 2 749,05
20тг 3 665,40
25тг 2 011,50
30тг 2 413,80
35тг 2 816,10
40тг 3 218,40
45тг 3 620,70
50тг 4 023,00
55тг 4 425,30
60тг 4 827,60
65тг 5 229,90
70тг 5 632,20
75тг 6 034,50

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 183,27тг 916,35
25 - 95тг 80,46тг 402,30
100 - 245тг 58,11тг 290,55
250 - 495тг 58,11тг 290,55
500+тг 58,11тг 290,55
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

540 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать