Infineon IRLML0100TRPBF MOSFET

Код товара RS: 725-9350Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLML0100TRPBFDistrelec Article No.: 30284097
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

235 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

2,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 938,70

тг 93,87 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon IRLML0100TRPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 938,70
20тг 1 877,40
30тг 2 816,10
40тг 3 754,80
50тг 4 470,00
60тг 5 364,00
70тг 6 258,00
80тг 7 152,00
90тг 8 046,00
100тг 7 152,00
110тг 7 867,20
120тг 8 582,40
130тг 9 297,60
140тг 10 012,80
150тг 10 728,00

тг 938,70

тг 93,87 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon IRLML0100TRPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 938,70
20тг 1 877,40
30тг 2 816,10
40тг 3 754,80
50тг 4 470,00
60тг 5 364,00
70тг 6 258,00
80тг 7 152,00
90тг 8 046,00
100тг 7 152,00
110тг 7 867,20
120тг 8 582,40
130тг 9 297,60
140тг 10 012,80
150тг 10 728,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 93,87тг 938,70
50 - 90тг 89,40тг 894,00
100 - 190тг 71,52тг 715,20
200 - 490тг 67,05тг 670,50
500+тг 67,05тг 670,50
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

235 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

2,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать