Infineon IRL60SL216 MOSFET

Код товара RS: 123-6147Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRL60SL216
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

298 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

I2PAK (TO-262)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Высота

11.3мм

Серия

StrongIRFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

StrongIRFET™ Logic-Level Power MOSFET, Infineon

An extension to the Infineon StrongIRFET family optimised for +5V logic-level gate drive. They share the same characteristics as the existing StrongIRFET family, such as low RDS(on) for greater efficiency, and high current carrying capacity for improved ruggedness and operational reliability.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRL60SL216 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRL60SL216 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

298 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

I2PAK (TO-262)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Высота

11.3мм

Серия

StrongIRFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

StrongIRFET™ Logic-Level Power MOSFET, Infineon

An extension to the Infineon StrongIRFET family optimised for +5V logic-level gate drive. They share the same characteristics as the existing StrongIRFET family, such as low RDS(on) for greater efficiency, and high current carrying capacity for improved ruggedness and operational reliability.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.