N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRL520NSPBF

Код товара RS: 178-1463Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRL520NSPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

9.65мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 5 В

Высота

4.83мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRL520NSPBF

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRL520NSPBF
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

9.65мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 5 В

Высота

4.83мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C