Infineon IRL3803PBF MOSFET

Код товара RS: 540-9979Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRL3803PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

140 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

LogicFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 4,5 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать

тг 1 269,48

тг 1 269,48 Each (ex VAT)

Infineon IRL3803PBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 269,48
2тг 2 538,96
3тг 3 808,44
4тг 5 077,92
5тг 6 347,40
6тг 7 616,88
7тг 8 886,36
8тг 10 155,84
9тг 11 425,32
10тг 12 694,80
11тг 13 964,28
12тг 15 233,76
13тг 16 503,24
14тг 17 772,72
15тг 19 042,20

тг 1 269,48

тг 1 269,48 Each (ex VAT)

Infineon IRL3803PBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 269,48
2тг 2 538,96
3тг 3 808,44
4тг 5 077,92
5тг 6 347,40
6тг 7 616,88
7тг 8 886,36
8тг 10 155,84
9тг 11 425,32
10тг 12 694,80
11тг 13 964,28
12тг 15 233,76
13тг 16 503,24
14тг 17 772,72
15тг 19 042,20

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 269,48
25 - 99тг 679,44
100 - 249тг 612,39
250 - 499тг 594,51
500+тг 554,28
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

140 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

LogicFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 4,5 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать