Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRL2910STRLPBF

Код товара RS: 830-3290Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRL2910STRLPBFDistrelec Article No.: 30341390
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 3 866,55

тг 773,31 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRL2910STRLPBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 866,55
10тг 7 733,10
15тг 11 599,65
20тг 15 466,20
25тг 19 332,75
30тг 23 199,30
35тг 27 065,85
40тг 30 932,40
45тг 34 798,95
50тг 30 843,00
55тг 33 927,30
60тг 37 011,60
65тг 40 095,90
70тг 43 180,20
75тг 46 264,50

тг 3 866,55

тг 773,31 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRL2910STRLPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 866,55
10тг 7 733,10
15тг 11 599,65
20тг 15 466,20
25тг 19 332,75
30тг 23 199,30
35тг 27 065,85
40тг 30 932,40
45тг 34 798,95
50тг 30 843,00
55тг 33 927,30
60тг 37 011,60
65тг 40 095,90
70тг 43 180,20
75тг 46 264,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 773,31тг 3 866,55
50 - 195тг 616,86тг 3 084,30
200 - 395тг 545,34тг 2 726,70
400 - 795тг 491,70тг 2 458,50
800+тг 491,70тг 2 458,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.