Infineon IRFZ44ESPBF МОП-транзистор (MOSFET)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
48 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
тг 19 444,50
тг 19 444,50 1 Tube of 50 (ex VAT)
1
тг 19 444,50
тг 19 444,50 1 Tube of 50 (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 19 444,50 |
| 2 - 4 | тг 17 486,64 |
| 5 - 9 | тг 17 151,39 |
| 10 - 19 | тг 16 127,76 |
| 20+ | тг 15 537,72 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
48 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм