Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
205 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
66 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.39мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
6.22мм
Страна происхождения
Mexico
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
75
P.O.A.
75
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
205 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
66 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.39мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
6.22мм
Страна происхождения
Mexico