Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 11 A, 55 V, 3-Pin DPAK IRFR9024NTRPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
175 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
38 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
6.22мм
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 486,60
тг 174,33 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 3 486,60
тг 174,33 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 174,33 | тг 3 486,60 |
| 100 - 480 | тг 134,10 | тг 2 682,00 |
| 500 - 980 | тг 120,69 | тг 2 413,80 |
| 1000 - 1980 | тг 111,75 | тг 2 235,00 |
| 2000+ | тг 98,34 | тг 1 966,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
175 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
38 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
6.22мм
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.