Infineon IRFR4510PBF MOSFET

Код товара RS: 784-8950Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFR4510PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

56 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

143 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

54 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.39мм

Серия

HEXFET

Вас может заинтересовать

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IRFR4510PBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 7 152,00
30тг 8 582,40
35тг 10 012,80
40тг 11 443,20
45тг 12 873,60
50тг 14 304,00
55тг 15 734,40
60тг 17 164,80
65тг 18 595,20
70тг 20 025,60
75тг 21 456,00

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IRFR4510PBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 7 152,00
30тг 8 582,40
35тг 10 012,80
40тг 11 443,20
45тг 12 873,60
50тг 14 304,00
55тг 15 734,40
60тг 17 164,80
65тг 18 595,20
70тг 20 025,60
75тг 21 456,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 518,52тг 2 592,60
25 - 95тг 286,08тг 1 430,40
100 - 245тг 281,61тг 1 408,05
250 - 495тг 277,14тг 1 385,70
500+тг 268,20тг 1 341,00
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

56 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

143 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

54 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.39мм

Серия

HEXFET

Вас может заинтересовать