Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 38 A, 300 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4137PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
69 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
341 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
83 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
21.1мм
Страна происхождения
Mexico
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 065,14
тг 2 065,14 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 065,14
тг 2 065,14 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 2 065,14 |
| 25 - 49 | тг 1 305,24 |
| 50 - 99 | тг 1 278,42 |
| 100 - 249 | тг 1 247,13 |
| 250+ | тг 1 220,31 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
69 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
341 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
83 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
21.1мм
Страна происхождения
Mexico
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.