Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4110PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
370 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 477,66
тг 1 738,83 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 3 477,66
тг 1 738,83 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 738,83 | тг 3 477,66 |
| 10 - 18 | тг 1 045,98 | тг 2 091,96 |
| 20 - 38 | тг 1 023,63 | тг 2 047,26 |
| 40 - 98 | тг 1 001,28 | тг 2 002,56 |
| 100+ | тг 947,64 | тг 1 895,28 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
370 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.