Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IRFI540NPBF

Код товара RS: 541-2470Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFI540NPBFDistrelec Article No.: 30341337
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

52 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.63мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

94 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

8.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 826,95

тг 826,95 Each (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IRFI540NPBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 826,95
2тг 1 653,90
3тг 2 480,85
4тг 3 307,80
5тг 4 134,75
6тг 4 961,70
7тг 5 788,65
8тг 6 615,60
9тг 7 442,55
10тг 4 246,50
11тг 4 671,15
12тг 5 095,80
13тг 5 520,45
14тг 5 945,10
15тг 6 369,75

тг 826,95

тг 826,95 Each (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IRFI540NPBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 826,95
2тг 1 653,90
3тг 2 480,85
4тг 3 307,80
5тг 4 134,75
6тг 4 961,70
7тг 5 788,65
8тг 6 615,60
9тг 7 442,55
10тг 4 246,50
11тг 4 671,15
12тг 5 095,80
13тг 5 520,45
14тг 5 945,10
15тг 6 369,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 826,95
10 - 49тг 424,65
50 - 99тг 415,71
100 - 249тг 362,07
250+тг 353,13
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

52 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.63мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

94 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

8.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать