N-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Infineon IRFI530NPBF

Код товара RS: 178-1455Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFI530NPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.75мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Высота

9.8мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Infineon IRFI530NPBF

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Infineon IRFI530NPBF
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.75мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Высота

9.8мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C