Infineon IRFH5304TRPBF MOSFET

Код товара RS: 130-0982Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFH5304TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

79 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.35V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.35V

Максимальное рассеяние мощности

46 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

41 нКл при 15 В

Высота

0.85мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon IRFH5304TRPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRFH5304TRPBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

79 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.35V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.35V

Максимальное рассеяние мощности

46 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

41 нКл при 15 В

Высота

0.85мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.