Infineon IRFB4227PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
65 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 452,75
тг 1 452,75 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 452,75
тг 1 452,75 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 452,75 |
| 25 - 99 | тг 840,36 |
| 100 - 249 | тг 795,66 |
| 250 - 499 | тг 737,55 |
| 500+ | тг 710,73 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
65 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.